新的硫化钼晶体管显着优于现有型号
在UCLA开发的晶体管可能意味着大得比更强大敏感的可穿戴设备。
一支研究人员团队制造了由硫化钼制成的场效应晶体管,其迄今为止迄今为止的最佳性能,超过了现有的硫化钼晶体管切断和最大振荡频率40至50倍。
利用它们的特殊电子和光学性质,纳米材料如石墨烯和硫化钼在科学家之间创造了兴奋,以促进晶体管和电路。
正在进行研究,可以大大提高高速,柔性电子设备中使用的二维分层半导体的效率和能力。但是石墨烯的结构缺乏称为带隙的特征,这允许电流通过待打开和关闭的材料。与石墨烯不同,硫化钼具有带隙并且可以用作原子薄的半导体,并且允许具有高开关比率和高压增益的原子薄晶体管。
现在,在UCLA加州纳米系统研究所的湘丰段领导的研究人员团队制造了由硫化钼制成的场效应晶体管,其在这种类型的晶体管中显示出最佳性能。在不久的将来,他们的发明可能意味着巨大强大敏感的健身和健康跟踪器,智能手机,计算机界面眼镜和其他可穿戴应用。
晶体管的性能部分地通过其截止和最大振荡频率判断。UCLA晶体管仅少量原子厚,具有截止值和最大振荡频率超过现有硫化钼晶体管的频率的40%至50倍。
本文最近发表在自然通信期刊; UCLA研究生Rui Cheng是该研究的第一作者。
科学家发现,可以通过在石英或柔性塑料基板上积分具有千兆赫兹制度的电压增益的多钼硫化物晶体管来形成诸如逻辑逆变器或射频放大器的电子设备。它们产生的晶体管具有高达42千兆的截止频率,最大振荡频率高达50千兆间。现有晶体管分别达到0.9千兆赫兹和1千兆赫兹的读数。
“除了晶体管的内在性能的显着增加之外,层状半导体硫化物硫化物代表了一种高度柔韧的原子薄膜,”段也是加州大学学院化学和生物化学副教授的副教授。“它可用于制造灵活或可伸展的电路,这对于各种可穿戴电子产品具有重要意义。”
出版物:Rui Cheng等,“用于高速柔性电子的少数二硫晶晶体管和电路,”自然通信5,物品编号:5143 DOI:10.1038 / ncomms6143
图像:襄樊段